集成电路进入到“后摩尔时代”，需要寻求底层材料和电路架构的原始创新。二维半导体材料具有超薄极限的沟道厚度和低温后端异质集成等特点，是延续摩尔定律的终极路线，也是我国实现集成电路技术突围的路径之一。本报告将介绍我们团队在二维半导体单晶外延制备、高性能晶体管器件、集成电路以及 AI 芯片方面的进展，梳理领域未来发展趋势和挑战，并介绍南京大学和苏州实验室在该方向的布局。

Micro-LED 显示技术被普遍认为下一代显示技术，在学术界和产业界引起广泛关注。本报告对 Micro-LED 显示技术进行概述，详细介绍其优势以及市场前景，分析 Micro-LED 显示技术目前遇到的技术瓶颈。重点介绍课题组在该领域的技术进展，开发出基于机器学习的外延结构设计方法，大幅度提高研发成本和效率；开发出氮化物 Micro-LED 芯片刻蚀及表/界面修复、钝化全套新技术，有效解决 Micro-LED 芯片的“尺寸效应”问题；提出基于多因子协同优化的激光巨量转移方案，实现转移后良率 99.9%，修复后良率99.999%，面向可穿戴显示需求，开发出当前全球像素密度 TFT 基 Micro-LED（403PPI）全彩显示屏；研发出透明显示驱动、三维集成驱动等系列驱动新技术。展望 Micro-LED 领域的未来发展方向如大尺寸基板的巨量转移技术、基于 Micro-LED 的光通信光互联和无掩膜曝光技术等。