二维半导体材料、器件与集成技术
报告简介:
集成电路进入到“后摩尔时代”,需要寻求底层材料和电路架构的原始创新。二维半导体材料具有超薄极限的沟道厚度和低温后端异质集成等特点,是延续摩尔定律的终极路线,也是我国实现集成电路技术突围的路径之一。本报告将介绍我们团队在二维半导体单晶外延制备、高性能晶体管器件、集成电路以及 AI 芯片方面的进展,梳理领域未来发展趋势和挑战,并介绍南京大学和苏州实验室在该方向的布局。
报告人简介:
王欣然
南京大学集成电路学院党委书记,苏州实验室前沿材料研究部部长。IEEE Fellow,国家杰出青年基金获得者,教育部长江学者特聘教授,国家自然科学基金创新研究群体负责人。2004年本科毕业于南京大学物理系,2010年获得美国斯坦福大学物理学博士学位,2010-2011年期间先后在斯坦福大学和伊利诺伊大学香槟分校做博士后研究员,2011年回到南京大学工作。主要研究下一代信息材料、器件与集成电路,尤其是在二维半导体领域取得突出成果,发表学术论文200余篇,包括32篇 Science/Nature及子刊,总引用次数超过39000次,3项工作入选国际半导体技术路线图,先后10次入选高被引学者榜单。曾获中国青年五四奖章、中国青年科技奖、国家自然科学二等奖、中国物理学会黄昆物理奖、科学探索奖、IEEE纳米技术贡献奖等荣誉。现任全国青联委员,江苏省青联副主席,江苏省自然科学基金专家咨询委员会委员。

