显示用 Micro-LED 当前面临的挑战与技术进展

报告简介:

Micro-LED 显示技术被普遍认为下一代显示技术,在学术界和产业界引起广泛关注。本报告对 Micro-LED 显示技术进行概述,详细介绍其优势以及市场前景,分析 Micro-LED 显示技术目前遇到的技术瓶颈。重点介绍课题组在该领域的技术进展,开发出基于机器学习的外延结构设计方法,大幅度提高研发成本和效率;开发出氮化物 Micro-LED 芯片刻蚀及表/界面修复、钝化全套新技术,有效解决 Micro-LED 芯片的“尺寸效应”问题;提出基于多因子协同优化的激光巨量转移方案,实现转移后良率 99.9%,修复后良率99.999%,面向可穿戴显示需求,开发出当前全球像素密度 TFT 基 Micro-LED(403PPI)全彩显示屏;研发出透明显示驱动、三维集成驱动等系列驱动新技术。展望 Micro-LED 领域的未来发展方向如大尺寸基板的巨量转移技术、基于 Micro-LED 的光通信光互联和无掩膜曝光技术等。

报告人简介:

张荣
1979年考入南京大学,先后获得学士、硕士和博士学位;毕业后留校任教,赴美国马里兰大学/威斯康星大学合作研究;2000年获国家杰出青年科学基金,入选“长江学者奖励计划”特聘教授;2011年担任973项目“半导体固态照明用超高效率氮化物LED芯片基础研究”首席科学家,2019年起担任厦门大学国家集成电路产教融合创新平台和厦门市未来显示技术研究院负责人,2023年当选中国科学院院士。 长期致力于半导体新材料、器件和物理研究,是我国最早从事宽禁带半导体研究的科学家之一。在解决基础物理问题、攻克材料制备难题的基础上,研制成功新型固态光源和高性能紫外探测器件,在新型显示等领域取得了系统性、创造性成就,产生重大社会经济效益。曾获国家技术发明二等奖、国家自然科学二等奖、国家教学成果二等奖和国家技术发明三等奖各1项、何梁何利科学与技术进步奖。