随着后“摩尔定律”时代的到来，从互联网到物联网到智联网的逐渐兴起，微电子器件从追求更小的线宽向寻找更理想的沟道材料发展，特别是能够承载更高的功率密度、具有更高效率的半导体材料；光电子领域从光纤通讯逐渐向显示、照明、通讯融合发展，特别是与移动、可穿戴、低功耗等解决方案兼容的材料与器件；此外，光电子与微电子的进一步深入融合，也将是未来光电信息产业发展的核心与基础。我国的集成电路一直在追赶国际先进水平的路上，在新一代半导体技术上能否实现跨越发展，是一个非常值得认真思考的命题。基于我国过去四十多年在半导体技术的积累，在新一代半导体技术上走出一条自主创新之路，已经具备可能性。以 GaN、AlN、SiC 为代表的宽禁带半导体材料，由于具备禁带宽度大、电子迁移率高等优异性能，正在逐渐取代第一代半导体材料（Si、Ge）和第二代半导体材料（GaAs、InP），成为下一代半导体纳米功能器件的核心支撑材料。它正在迅速推进激光显示产业、军用相控阵雷达产业、智能电网产业、高功率宽带无线通信产业的快速发展，预计到 2020 年将形成万亿美元的市场