半导体激光器具有寿命长、电光转换效率高、体积小的优点，在激光加工、医疗、显示和照明等领域具有巨大的应用潜力，大功率半导体激光是现代激光技术发展的重要基础，具有战略性的发展意义。但由于半导体激光器光单元器件功 率较小、功率密度低、光束质量不理想，制约了其在激光加工、高能激光泵浦以及作为直接光源在激光武器等领域的应用，已成为国际上的重大瓶颈技术问题，世界主要发达国家均将其列入国家级发展计划。大功率半导体激光芯片如何同时实现高功率、高电光效率和高工作温度。在维持较高功率水平的同时，努力提升电光效率与工作温度，降低功率重量比与功率体积比，近 10 年来，半导体激光器的综合指标发展十分迅速，通过优化芯片外延结构、器件工艺、芯片封装及合束，实用化阵列器件输出功率提升了 4 倍，电光效率维仍持在 70%；单管器件输出功率提升了 3 倍，85℃下的电光效率仍高于 60%，功率光束质量比提升了 2.5 倍，功率重量比与功率体积比降低近 10 倍。大功率半导体激光如何提升光束质量。基于窄带滤波片及衍射光栅的光谱合束是近几年国际研究热点，相对于常规合束，其优势在于合束光束质量与单元光束质量相近