2026年11月7日，中国科学院学部第248次科学与技术前沿论坛“宽禁带半导体材料”在京举办。中国科学院院士郝跃和陈小龙共同担任论坛执行主席，来自高校、科研院所和产业界的百余位院士专家学者围绕宽禁带半导体材料、器件及新应用等方向开展多学科交叉研讨，为我国宽禁带半导体领域高质量发展集智献策。

宽禁带半导体材料与器件是支撑下一代功率电子、射频电子、光电子等产业发展的核心基础，更是保障高端电子信息产业链供应链安全、赋能新型能源体系的战略基石。论坛设置氮化镓、碳化硅、氧化镓、氮化铝、金刚石及新兴半导体材料与器件等核心议题，邀请孙洪波等20位院士专家作学术报告。与会专家紧扣国家关于加快宽禁带半导体产业提质升级的战略部署，针对晶体生长机理、缺陷工程、精密加工技术、先进器件制备和未来产业化应用落地等关键方向，进行深入研讨与交流碰撞。

与会专家一致认为，本次论坛为宽禁带半导体材料、器件与物性各方搭建了对话平台，有力促进了基础研究、工艺研发和工程产业化协同攻关。当前，我国在宽禁带半导体的大尺寸衬底与外延片制备及产业化、高功率射频器件和电力电子器件研发及产业化、新兴半导体探索（如立方碳化硅晶体）等方向已取得一系列标志性成果，但在高质量大尺寸金刚石单晶衬底制备、高压大电流器件、终端场景化应用开发等方面仍面临技术瓶颈。与会专家提出，需系统梳理前期科学发现和工程实践经验，集中力量攻克一批底层原理难题与关键工程难关，推动宽禁带半导体材料体系迭代升级，全面提升我国功率、射频、光电子等宽禁带半导体器件自主制备能力，构建自主可控、安全高效的宽禁带半导体创新生态和产业体系，为新型电力系统、高速轨道交通、超大规模算力基础设施和可控核聚变等国家重大战略工程和国之重器提供核心材料和器件保障，助力我国在全球宽禁带半导体赛道上掌握发展主动权。

本次论坛由中国科学院学部主办，中国科学院学部学术与出版工作委员会、中国科学院技术科学部、中国科学院信息技术科学部联合承办，中国科学院物理研究所、西安电子科技大学、《中国科学》杂志社共同协办。

论坛现场