中国科学院院士，半导体发光学专家，南昌大学教授，主要从事半导体发光材料生长、芯片制造、器件物理和专用装备研究。

CAS member, semiconductor luminescence scientist, professor at Nanchang University.

Research interests: semiconductor luminescent material growth, chip manufacturing, device physics, and specialized equipment.

作者带领团队，选择硅基氮化镓这条非共识路线，率先突破其高光效蓝/绿/黄/红光LED材料与芯片技术，推出系列新产品，实现众多新应用。研究发现，该材料量子阱区域，位错诱导的大V缺陷（P层嵌入）三维结构具有增强空穴注入量子阱和提高量子阱质量等有益作用，打破“位错缺陷越少越好/越小越好”传统认知。提出V缺陷三维PN结理论方法，使PN结界面由二维发展到三维，V缺陷从“有大害”到“有小害”发展为“有大用”。由此，大幅提升LED黄光光效、氮化镓红光光效和蓝绿光电注入效率；开拓纯芯片LED照明技术路线（无荧光粉），产品批量应用于高品质路桥照明、氛围照明、教室照明等按需照明场景；显示芯片批量应用于特种专项显示器和汽车交互屏等。实现硅基氮化镓LED与硅基CMOS光电集成，研制成功微型显示屏及首款黄光AR眼镜。提出的理论方法被推广应用到共识路线蓝宝石基氮化镓LED，提升其发光效率。硅基氮化镓LED性能还有较大提升空间，将在光电子行业有更广应用。