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近衍射极限晶圆级完美共形接触式光刻技术
报告简介：
光刻是现代微/纳米技术中的关键使能技术。在分辨率、吞吐量和成本之间实现最佳权衡是光刻技术研发的重点。当前工业界常用的光刻技术，如直写光刻与投影光刻，可实现极高的分辨率，但往往以光学系统复杂性增加为代价，从而显著提高了整体生产成本。接触式光刻，在理论上也拥有光学衍射极限的分辨率且拥有极低成本优势，在实验室研发中被广泛使用，但因难以实现共形接触、对缺陷极度敏感及硬接触带来的掩模版损伤等难题，无法用于规模化生产。本报告中，我们将分享一种利用可转移的光刻胶实现完美共形接触式光刻的技术，该技术拥有近衍射极限分辨率、大面积均匀性、近零掩模版损伤等优势，使得接触式光刻在工业界应用成为了可能。
报告人简介：
段辉高
2004 年及 2010 年获兰州大学物理学学士和博士学位，曾先后在中国科学院电工所、美国麻省理工学院、新加坡科技研究局材料工程研究院、德国斯图加特大学及马普固体所、英国南安普顿大学等机构从事科研工作，2012 年加入湖南大学。曾获全国百优、国家优青、国家杰青等人才项目支持，在 Nature Nanotechnology、Nature Energy、Light: Science & Applications 等国内外期刊上发表论文 290 余篇，H 因子为 76，现担任《极端制造（英文）》， Research、《光学精密工程》等 5 本期刊编委或副主编。段辉高在电子束光刻极限分辨率机理、离子束增减材协同制造工艺、大幅面高分辨完美接触式光刻技术等方面做出了系列创新性工作，为微纳光学及平面光学等器件研发提供了超精密微纳制造解决方案。
