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宽禁带半导体碳化硅的晶体生长
报告简介：
碳化硅晶体是一种性能优异的宽禁带半导体，在新能源汽车、光伏和 5G 通讯、航空航天等领域有着广泛的应用，是材料领域发展最快、国际竞争最激烈的方向之一。但其晶体生长面临着生长温度高（~2300℃），温场难控制，易产生缺陷；晶体构型多达 200 多种，易相变；边缘易自发形核，晶体扩径难等诸多困难，生长大尺寸碳化硅晶体成为很具挑战性的难题。针对应用端的重大需求和产业的升级换代以及国内外发展趋势，报告主要围绕大尺寸碳化硅晶体生长的关键科学和技术问题，介绍团队二十多年来用物理气相传输法和高温熔液法生长碳化硅晶体的研究进展和研究成果在产业上的应用。重点介绍近年来提出通过界面能调控在高温熔液法晶体生长中控制碳化硅晶型学术思想，突破传统生长理论的限制，实现了晶圆级立方碳化硅晶体生长，为发展更高性能器件奠定材料基础。
报告人简介：
陈小龙
陈小龙，男，博士，研究员，中国科学院物理研究所博士生导师。1999年获国家杰出青年科学基 金 ，2014年获 万 人 计 划 领 军 人 才 称 号 ，2023年获中国科学院年度创新人物称号，同年当选国际衍射数据中心（International Centre for Diffraction Data，ICDD）Distinguished Fellow。主要从事宽禁带半导体晶体生长和物性表征以及新电磁功能材料探索研究。2012年~2020年担任中国科学院先进材料和结构分析重点实验室主任；2004~2012年担任中国晶体学会副理事长；2016-2020年担任ICDD副主席。现兼任中国物理学会x-射线衍射专业委员会主任。先后主持国家重大科学研究计划、国家科技支撑计划和国家自然科学基金委重大研究计划集成项目等40余项。在国内率先开展了碳化硅晶体产业化工作，并取得了良好的社会经济效益，发现了金属插层铁硒基系列高温超导体，开辟了国际超导研究新方向。在相关研究领域获得国家自然科学二 等奖1项（第 一人 完成 人） ，中 国科 学院 科技 促进 发展奖1项（第一完成人），中国科学院杰出成就奖（第二完成人），新疆生产建设兵团科技进步一等奖1项（第一完成人），中国发明协会发明创业特等奖（个人奖）。在国内外刊物合作发表重要论文400多篇，取得授权发明专利69件（含7件国际专利），制定国家标准3项。
