AlN基深紫外发光材料和器件
报告人:沈波
1963 年生,江苏扬州市人,先后在南京大学、中国科技大学和日本东北大学获学士、硕士和博士学位, 并在东京大学从事博士后研究。现为北京大学理学部副主任、宽禁带半导体研究中心主任,是教育部长江特聘教授、国家杰出青年基金获得者、基金委创新研究群体带头人。曾任国家 973 计划项目首席科学家、863 计划“第三代半导体”重点专项总体专家组组长。现为国家十四五计划 “新型显示和战略性先进电子材料” 重点专项第三代半导体方向专家组组长,享受国务院特殊津贴。1995 年迄今一直从事 GaN 基宽禁带半导体材料、物理和器件研究,在 GaN 基量子结构的 MOCVD 外延生长、强极化 /高能带阶跃半导体二维电子气输运性质、 GaN 基射频和功率电子器件、AlGaN 基深紫外发光材料和器件等方面取得了在国内外同行中有一定影响的研究成果。先后负责了 20 多项科研项目,发表 SCI 论文 300 多篇,出版中英文专著 4 部,获得 / 申请国家发明专利 80 多件,在国内外学术会议做邀请报告 30 多次。先后与华为、京东方、彩虹集团等开展了技术合作 , 部分成果实现了产业化应用。先后获国家技术发明二等奖、国家自然科学二等奖、江苏省科技进步一等奖和教育部科技进步一等奖。