经过近 50 年的发展，传统的存储技术包括 SRAM，DRAM 及Flash 已经成为集成电路领域产值最大的芯片类别。其中 SRAM 主要用于存储计算中的热数据，其优点是速度快，但是容量特别低并且功耗比较高；DRAM 主要用于存储计算中的温数据，其优点是兼具速度及容量的优势，但是因为其掉电挥发的特性需要持续刷新造成功耗比较高； Flash 主要用于存储冷数据，其优点兼具了超大容量及掉电不挥发的特性，然而其主要问题是速度较慢且驱动电压较高。由于传统的存储技术无法实现数据高速访问与数据非易失存储的结合，造成现有计算存储架构分级体系复杂，能效较低；运算单元与存储器之间速度失配，严重制约计算机性能及能效的进一步提升。以阻变存储器 RRAM，自旋存储器 MRAM 及相变存储器 PCM 为代表的新型非易失存储器受到学术界及产业界的广泛关注，近三年由台积电及英特尔公司等逐步实现量产。