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“新时期半导体科学技术发展”科学与技术前沿论坛

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2019125日(星期五)

上午8:30-8:40   开幕式    会议主席:李树深院士、郝跃院士

主题一、微电子集成(主持人:黄如院士)

时间

报告人

报告题目

8:40-9:20

皮孝东

面向高性能计算的硅材料现状及其发展

9:20-10:00

黄芊芊

后摩尔时代超低功耗新原理器件

10:00-10:20

茶歇、合影(学术会堂前)

10:20-11:00

赵毅

关于硅及锗基电子器件研究的一些思考

11:00-11:40

刘琦

阻变存储器发展态势与机遇

11:40-12:20

刘雷波

软件定义芯片-以非对称技术赢得发展主动权

午餐(中国科学院学术会堂自助餐厅)

主题二、光电子集成(主持人:杨德仁院士)

13:20-14:00

李明

光电子芯片技术现状与举措建议

14:00-14:40

冯俊波

后摩尔时代下硅基光电子与微电子的融合与突破

14:40-15:20

刘力源

光电融合的人工视觉片上系统研究

15:20-15:40

茶歇

15:40-16:20

陆丹

战略性高端光电芯片与光子集成平台

16:20-17:00

彭航宇

大功率半导体激光器研究进展与分析

晚餐(中国科学院学术会堂自助餐厅)

 

 

2019126日(星期六)

主题三、光电子材料与器件(主持人:王立军院士)

时间

报告人

报告题目

8:30-9:10

刘雷

氧化物半导体的能带调控与点缺陷单体表征技术探索

9:10-9:50

王新强

氮化物半导体原子层外延调控及其器件

9:50-10:30

徐科

氮化镓单晶材料生长及GaN on GaN器件进展

10:30-10:50

茶歇

10:20-11:00

胡伟达

具有变革性特征的红外光电探测器

11:00-11:40

陆海

宽禁带半导体紫外光电探测器

午餐(中国科学院学术会堂自助餐厅)

主题四、新兴技术(主持人:刘明院士)

13:20-14:00

闵泰

Development History and Technology Future of Emerging STT-MRAM Technology

14:00-14:40

韩根全

负电容晶体管器件和相关材料研究的进展

14:40-15:20

王欣然

二维电子器件与集成技术

15:20-16:00

讨论

论坛结束

 

注:(1)特邀报告每报告35分钟,提问、讨论5分钟(可根据实际情况调整);

   2)讨论环节一般口头发言3分钟。